[한스경제=고예인 기자]SK하이닉스가 일본 교토에서 8일부터 12일까지 진행되는 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'에서 향후 회사의 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵으로 '4F² VG 플랫폼'과 '3D D램'을 제시했다고 10일 밝혔다.

IEEE VLSI(Institute of Electrical and Electronics Engineers Very Large Scale Integration) 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 권위를 인정 받는 세계적인 학술대회로 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최된다. 차세대 반도체, AI 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다.

기조연설을 맡은 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 행사에서 '지속가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도(Driving Innovation in DRAM Technology: Towards a Sustainable Future)'를 주제로 발표를 진행했다.

차 CTO는 "현재 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F 스퀘어 VG(수직 게이트) 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다.

4F² VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적·고속·저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술을 일컫는다. F²는 D램의 셀 하나가 차지하는 면적을 세는 단위다. 4F²는 2F X 2F 면적을 차지한다는 의미인데, 기존 D램은 단일 셀의 면적이 6F(2F x 3F)였으나4F(2F x 2F)는 이보다 작은 면적으로 집적도 향상에 유리하다.

VG는 D램에서 트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우고 그 주위를 채널이 감싸고 있는 구조다. 기존에는 게이트가 채널 위에 수평으로 눕혀져 있는 평면구조였다.

차 CTO는 4F 스퀘어 VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 그는 3D D램의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측에도 불구하고 회사의 기술 혁신을 통해 비용적 한계를 극복하고 미래 경쟁력을 확보해 SK하이닉스의 미래 30년을 그려나가겠다고 밝혔다.

차 CTO는 "2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 "앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다"고 밝혔다.

행사 마지막 날인 12일에는박주동 SK하이닉스 부사장(차세대D램 TF 담당)이 발표자로 나선다. 이 자리에서 VG와 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 D램의 전기적 특성을 확인한 최신 연구 결과도 공개할 예정이다.